在晶格結(jié)點(diǎn)上的原子并不是固定不動(dòng)的。原子常圍繞某一固定的位置作輕微 的振動(dòng)(表現(xiàn)出彈性)。隨著溫度的升高，振動(dòng)的范圍也增大，因而晶格有了膨 脹，這也就是金屬受熱膨脹的原因。當(dāng)溫度升高到熔點(diǎn)后，原子振動(dòng)范圍顯著增 大，全部脫離了原先的位置，這便意味著金屬已經(jīng)熔化。

冷卻后，隨著溫度的降 低，原子間吸引力逐漸增大，當(dāng)溫度降低到凝固溫度以下時(shí)，原子間的吸引力已 經(jīng)達(dá)到了克服原子混亂運(yùn)動(dòng)的力量，原子有規(guī)則地排列，這就開始了結(jié)晶過程。 如果金屬材料冷卻到原室溫后繼續(xù)降低溫度，晶格就越來越緊密，體積就收縮 這就是金屬材料遇冷收縮的原因。?

金屬材料的熱脹冷縮性質(zhì)是各不相同的，我們用線膨脹系數(shù)來表達(dá)這種不 同，它表示在一定溫度范圍內(nèi)每升高一度在一定方向上膨脹多少。

對(duì)于一般物體，熱脹冷縮是成立的，主要是有與溫度升高，分子的動(dòng)能增加，分子的平均自由程增加，所以表現(xiàn)為熱脹冷縮

因?yàn)楣杵w，長(zhǎng)程有序的襯底還是占絕大部分，其熱脹冷縮比較一致，內(nèi)連金屬延展性很好，可以跟隨其進(jìn)行伸縮。且總體來說體積變化比起塑料、金屬塊等物體要小得多。

普通硅片/砷化鎵/鍺晶體薄片放在平臺(tái)上直接澆液氮，也是不會(huì)壞的。這個(gè)過程我工作實(shí)驗(yàn)室經(jīng)常做，在線測(cè)試步驟之一。另外說到功率問題：溫度到液氮附近后，集成電路器件遷移率一般會(huì)暴漲2-3倍，注入?yún)^(qū)電阻率下降一些。帶來的直觀感受是MOSFET飽和電流大大增加。

通用CPU一般數(shù)字電路占主導(dǎo)，大飽和電流帶來的好處是后端柵極充放電速度增加，但溫度降低，MOSCAP增加，幅度不如飽和電流。也就是說，單位時(shí)間內(nèi)充放電電流增加了，但總量其實(shí)還好。

總體功率只要頻率不增加的話是沒什么變化的，因?yàn)镃MOS電路作為壓控器件組合，主要的功耗在于狀態(tài)變化過程，只要頻率和指令數(shù)量不變，工作能耗就維持在大致相仿的水平。但前面也提到了，低溫下飽和電流激增，因此充放電速度更快，可以支撐更高的工作頻率。

這也是超頻用液氮降溫的主要意義之一。這個(gè)回答一方面是針對(duì)有些回答說液氮溫度就壞了的，另外答案本身存在局限性：CPU封裝形式?jīng)Q定了其民品場(chǎng)合運(yùn)用，不考慮這樣極端溫度的長(zhǎng)期工作，因此比起核心die，PCB基板因受熱不均碎裂可能性更大。

陶瓷基板則需要具體分析。因此我上面的這些想法只針對(duì)硅片本身。做過一些液氮溫度附近的半導(dǎo)體性質(zhì)研究，斗膽胡亂說幾句，請(qǐng)各位指正。