據(jù)報道稱:上海微電子將在2021年交付采用ARF光源制程工藝為28納米的光刻機，并且次光刻機在經(jīng)過多次曝光之后，可以制造出11納米制程的芯片。目前來看，這個消息應該是真的。也就是說，國內(nèi)在2021年，就有自己制造的生產(chǎn)28納米制程芯片的光刻機了。雖說，還不能與阿斯麥公司的極紫外EUV光刻機相比，但是足以推進我國工業(yè)芯片和軍用芯片的性能向前邁一大步了。

按光源來分的話，光刻機已經(jīng)發(fā)展了五代。第一代是采用波長為436納米的g-line光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點為800納米-250納米；第二代采用波長為365納米的i-line光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點也是800納米-250納米；第三代采用波長為248納米的KRF光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點為180納米-130納米；第四代也就是波長為139納米的Arf光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點為130納米-65納米，45納米-22納米；第五代也就是波長為13.5納米的EUV光源的極紫外光刻機，其制程節(jié)點為22納米-7納米。

而上海微電子將在2021年交付的也就是第四代光刻機，制程工藝節(jié)點為28納米。其實上海微電子與2007年制造了制程工藝節(jié)點為90納米的光刻機，迄今過去了13年。經(jīng)過14年的發(fā)展，再次拿出第四代光刻機也是很正常的。雖說，我國現(xiàn)在無法制造出二氧化碳EUV光源，但是在固體深紫外光源的研發(fā)上是處于國際領先地位的，最明顯的例子就是KBBF晶體。

另外光刻機比較重要的鏡頭，國內(nèi)也是可以自制的。長春光機所于2016年研發(fā)出了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)。清華大學也在2014年研發(fā)出掩模臺/硅片臺同步掃描指標實測達到2.2nm，4.7nm。所以說，光刻機最重要掩膜臺和工作臺，鏡頭組，光源都可以由國內(nèi)單位自己制造出來，那么上海微電子研制出制程工藝為28納米的光刻機也沒有什么可懷疑的。只是在明年交付之后，芯片的良品率并不會一下子就上去，還要過段時間才可以提升上去。

另外，上海微電子即將交付的光刻機，在經(jīng)過多次曝光之后，制程工藝還可以提高到11納米。這樣一來，對那些芯片并不急需，但要求制程工藝的公司來說，也是一個好消息。畢竟國內(nèi)有了這種光刻機，就不必在受到國外的制裁了。對于EUV光源，我國還需要加大研發(fā)力度，爭取早日取得突破。只要光源突破之后，那剩下的就沒有什么太大的難題了

由此可知，上海微電子交付28納米制程工藝的光刻機有較大意義。

讓你失望了，上海微電孑沒有研制出11納米的光刻機。但是，再告訴你一個好消息，明年，上海微電子將研制出28納米的光刻機，經(jīng)過多次光刻后，能精確到11納米。再告訴你個更大的好消息，我們國家的實驗室里巳經(jīng)研制成功了9納米光刻機，雖然，工廠化量產(chǎn)還得多年以后。相信.，上海微電子所一定會不辱使命，在光刻機領域大展伸手，舞出明天中國光刻機的一片希望之所。

這個消息不好定論，提供多少納米工藝一般指光波長，11nM特意避開常用波長怕別人記不??？我所知道的好用的激光器一般規(guī)格是一樣的基波長，然后都攜帶一串幅度減小的多個高次諧波，1/3，1/5，1/7波長…有限一連串的波，用濾波器把波長極短的那個給濾出來做為最小的光斑使用，所以少有8，9，10nM的波長，所以11nM有沒有難說，請大家判斷，或請發(fā)消息者說明是哪來的。